MMBTA42 1D是一种小信号NPN晶体管,广泛应用于射频和高频放大器电路中。该晶体管具有高增益、低噪声和优良的线性度,适合在高频和射频应用中使用。其封装形式为SOT-323,属于表面贴装器件,非常适合于高密度电路板设计。
集电极-发射极电压:40V
集电极电流:200mA
功率耗散:315mW
增益带宽积:7GHz
过渡频率:8GHz
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
MMBTA42 1D的主要特点是其卓越的射频性能。它能够在高达数GHz的频率范围内提供稳定的增益和低失真性能。
此外,由于采用了SOT-323小型封装,该晶体管非常适合用于空间受限的设计环境。
该晶体管还具备较高的增益带宽积(7GHz)和过渡频率(8GHz),使其成为射频和无线通信领域中的理想选择。
其低噪声系数也使它适用于对信号完整性要求高的应用场合。
MMBTA42 1D被广泛应用于各种高频和射频场景,包括但不限于:
- 射频放大器
- 混频器
- 调制解调器
- 高速开关
- 无线通信模块
- GPS和卫星接收设备
这些应用充分利用了该晶体管的高频特性和低噪声性能。
MMBT42 1D, MMBTH42 1D